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全自動(dòng)SCRUBBER清洗機(jī) 簡(jiǎn)介： ?清洗機(jī)可以用于對(duì)晶圓表面，背面及晶圓邊緣的清洗，通過(guò)創(chuàng)新研發(fā)的二流體噴嘴技術(shù)可將附著在晶圓表面的細(xì)微顆粒污染物去除。通過(guò)大量仿真與工藝試驗(yàn)相結(jié)合，優(yōu)化出*的清洗工藝參數(shù)，確保不損傷晶圓表面的圖形；對(duì)于微米級(jí)別大顆粒，采用特殊材料的毛刷或高壓噴淋對(duì)晶圓進(jìn)行擦洗去除。配合晶圓翻轉(zhuǎn)裝置和夾持式承片臺(tái)，可在同一臺(tái)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的正反兩面進(jìn)行清洗。

半導(dǎo)體研磨拋光機(jī)是一款操作簡(jiǎn)單的桌面型單面拋光設(shè)備，可搭配銅盤、錫盤、玻璃盤、不銹鋼盤等，配合不同類型的拋光液，適用于各種半導(dǎo)體材料的研磨拋光，滿足科研院校、企業(yè)的研發(fā)及小批量生產(chǎn)。

減薄機(jī) 簡(jiǎn)介： 1. 可根據(jù)客戶需求定制化各類工作臺(tái)，滿足各類半導(dǎo)體材料的研削薄化工藝 2. 最大晶圓尺寸：8英寸 3. 砂輪規(guī)格：Ø203(OD)mm 4. 砂輪軸轉(zhuǎn)速范圍：0~6000 RPM 5. 工作臺(tái)轉(zhuǎn)速：0~400 RPM 6. Z軸行程：130mm 7. Z軸進(jìn)給速度：0.1~1000 um /sec 可選配最小0.01um/sec 8. 厚度在線測(cè)量分辨率：0.1um

精密劃片機(jī)，劃片機(jī) 簡(jiǎn)介：半導(dǎo)體晶圓、集成電路、QFN、發(fā)光二極管、LED芯片、太陽(yáng)能電池、電子基片等的劃切，適用于包括硅、石英、陶瓷、氧化鋁、氧化鐵、砷化鎵、鈮酸鋰、藍(lán)寶石和玻璃等。

CMP后清洗機(jī) 簡(jiǎn)介： 該系列設(shè)備是晶圓CMP后的專用清洗設(shè)備，有單工位、轉(zhuǎn)位式、連線式等不同結(jié)構(gòu)，以適用不同應(yīng)用場(chǎng)景，其中連線式設(shè)備加配全自動(dòng)上下片系統(tǒng)。該系列設(shè)備配有漂洗、雙面刷洗、兆聲清洗、N2吹干、高速甩干功能，集成度高，占地面積小，濕進(jìn)干出，適用于各類CMP后晶圓的清洗

化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)CMP簡(jiǎn)介：1. 該化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)可用于各類半導(dǎo)體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光。 通過(guò)更換拋光頭可兼容4、6、8英寸晶圓2. 系統(tǒng)功能：手動(dòng)上下片，程序自動(dòng)進(jìn)行拋光，配有終點(diǎn)監(jiān)測(cè)裝置，配置半自動(dòng)loading & unloading托盤系統(tǒng)，8寸規(guī)格，方便8寸晶圓上下片3. 拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)：具有摩擦力監(jiān)測(cè)功能。