一、系統(tǒng)設備概述

多腔等離子體沉積/刻蝕系統(tǒng)是一款優(yōu)良的沉積/刻蝕設備，廣泛應用于半導體制造和微電子領域。該系統(tǒng)通過在多個腔室中產(chǎn)生等離子體，利用反應氣體對材料進行選擇性沉積/刻蝕，能夠實現(xiàn)高精度和高均勻性的沉積/刻蝕效果。多腔設計使得設備能夠同時處理多個晶圓，提高生產(chǎn)效率和吞吐量。該設備適用于多種材料，包括硅、氮化物和金屬等，廣泛用于集成電路、MEMS 以及光電器件的制造。憑借其良好的沉積/刻蝕性能和靈活的工藝調(diào)節(jié)能力，多腔等離子體沉積/刻蝕系統(tǒng)在現(xiàn)代微納米加工中發(fā)揮著重要作用。

二、設備用途與原理

1.設備用途

多腔等離子體刻蝕沉積/刻蝕主要用于半導體制造、微電子和納米技術領域。它廣泛應用于集成電路（IC）、微機電系統(tǒng)（MEMS）、光電器件及其他高精度微納加工，能夠實現(xiàn)對硅、氮化物、金屬等多種材料的選擇性沉積/刻蝕。

2.工作原理

該系統(tǒng)通過在多個腔室中產(chǎn)生等離子體，利用反應氣體與材料表面反應，選擇性去除材料。首先，反應氣體被引入刻蝕腔室，經(jīng)過電場激勵后形成等離子體。等離子體中的活性粒子與待刻蝕材料表面發(fā)生化學反應，產(chǎn)生揮發(fā)性副產(chǎn)物，從而實現(xiàn)材料的去除。多腔設計使得系統(tǒng)能夠同時處理多個晶圓，顯著提高生產(chǎn)效率和均勻性。此外，系統(tǒng)的工藝參數(shù)可調(diào)節(jié)，允許用戶優(yōu)化刻蝕速率和選擇性，以滿足不同應用的需求。

三、設備組成

1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)；

2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)；

3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空；

4.系統(tǒng)包括：

  一個六端口的轉接腔、帶機械手

  六個端口分別連接：

（1）一個 ALE 刻蝕腔模塊：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕；

（2）一個ICPECVD 沉積腔模塊：用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)薄膜；

（3）一個低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊：配氟基氣體，主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等；

（4）一個 loadlock 預真空室模塊：用于單片樣品的手動送樣；

（5）一個真空片盒站模塊：用于多片片盒的自動送樣；

（6）一個端口備用，未來可升增加 1 個刻蝕或沉積反應腔模塊工藝系統(tǒng)。