碳化硅外延系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：MARS iCE115碳化硅外延系統(tǒng)主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術(shù)路線(xiàn)，應(yīng)用優(yōu)良的控溫、控壓算法和專(zhuān)業(yè)的進(jìn)氣、混流結(jié)構(gòu)，使得整個(gè)外延工藝過(guò)程中熱場(chǎng)和氣流場(chǎng)均勻穩(wěn)定。工藝指標(biāo)如厚度均勻性、摻雜濃度均勻性、缺陷密度等均達(dá)到了行業(yè)優(yōu)良水平。

產(chǎn)品型號(hào)：MARS iCE115
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2024-09-05
訪(fǎng) 問(wèn) 量： 405

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1. 產(chǎn)品概述

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。

2. 設(shè)備用途/原理

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高，具備多層外延能力，氣流場(chǎng)和加熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，工藝性能優(yōu)異，可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質(zhì)量均一性好。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 4、6 英寸，適用材料碳化硅 SiC，適用工藝 N&P 碳化硅外延，適用域科研、化合物半導(dǎo)體。?碳化硅外延系統(tǒng)的工作原理主要依賴(lài)于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。?這一技術(shù)通過(guò)載氣將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室內(nèi)，在一定的溫度和壓力條件下，反應(yīng)氣體分解并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成中間化合物擴(kuò)散到碳化硅襯底表面，從而生長(zhǎng)出外延層。這種外延生長(zhǎng)技術(shù)能夠有效地控制摻雜濃度和薄膜厚度，以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，同時(shí)減少襯底中的缺陷，提高器件良率。反應(yīng)室內(nèi)的氣流場(chǎng)和溫度場(chǎng)對(duì)碳化硅外延生長(zhǎng)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懲庋訉拥馁|(zhì)量和均勻性。