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等離子體增強CVD系統(tǒng)

簡要描述:PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等離子體增強CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源,以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜,從薄膜到厚的薄膜(高達100 µm)。PD-100ST具有時尚、緊湊的設(shè)計,只需要小的潔凈室空間。

  • 產(chǎn)品型號:PD-100ST
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 289

詳細介紹

1. 產(chǎn)品概述

PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等離子體增強CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源,以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜,從薄膜到厚的薄膜(高達100 µm)。PD-100ST具有時尚、緊湊的設(shè)計,只需要小的潔凈室空間。

2. 設(shè)備用途/原理

塑料材料上保護膜的沉積3D LSI的通孔側(cè)壁上沉積絕緣膜。光波導(dǎo)的制造(光纖芯/包層)。制造用于微型機械生產(chǎn)的面罩。覆蓋高縱橫比結(jié)構(gòu),如MEMS器件。SAW設(shè)備的溫度補償膜和鈍化膜。

3. 設(shè)備特點

沉積物達?100 mm(4")。陰耦合自偏析沉積技術(shù)可以實現(xiàn)低應(yīng)力薄膜的高速(>300 nm/min)沉積。通過低溫沉積,可以在塑料表面上沉積薄膜。高縱橫比結(jié)構(gòu)的優(yōu)秀階梯覆蓋率,使用鍺、磷、硼液源控制折射率。PD-100ST設(shè)計時尚、緊湊,只需要小的潔凈室空間。


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