1 產(chǎn)品概述:

    去膠設(shè)備通過不同的技術(shù)和方法去除物體表面的雜質(zhì)。在電子行業(yè)中，等離子去膠機(jī)是一種先進(jìn)的去膠設(shè)備，它利用等離子體中的高能粒子對光刻膠進(jìn)行轟擊，使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理剝離，從而實(shí)現(xiàn)去除光刻膠的目的。等離子去膠機(jī)通常包括反應(yīng)室、等離子體發(fā)生器、控制系統(tǒng)和真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件。

2 設(shè)備用途：

    去膠設(shè)備的用途廣泛，特別是在電子、汽車、化工、建筑等多個(gè)領(lǐng)域。在電子行業(yè)中，去膠設(shè)備主要用于：

1. 半導(dǎo)體制造：去除硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體表面的光阻灰化、高劑量離子注入后的光刻膠殘留、晶圓表面的殘膠和污染物等。

2. 晶圓級封裝：在晶圓級封裝的前處理工藝中，去除晶圓表面的污染物和雜質(zhì)，提高封裝質(zhì)量。

3. 電路板制造：去除印刷電路板表面的膠層，提高電路板的精度和可靠性。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高效性：等離子去膠機(jī)去膠速度較快，可以在較短的時(shí)間內(nèi)完成大量樣品的處理，提高生產(chǎn)效率。

  環(huán)保性：相比化學(xué)去膠方法，等離子去膠機(jī)不需要使用有害的化學(xué)試劑，處理過程中不會產(chǎn)生有毒廢物，對環(huán)境的影響較小。

  可控性：通過調(diào)節(jié)等離子體的參數(shù)（如功率、氣壓、氣體種類等），可以精確控制去膠的速度和效果，滿足不同工藝需求。

  兼容性：等離子去膠機(jī)適用于各種類型的光刻膠和底層材料，且對底層材料的損傷較小。

  集成性：可以與其他等離子體工藝（如等離子體清洗、等離子體蝕刻等）集成在同一設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)全自動化生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

  次世代晶圓工藝必須的 1 x 10¹⁶atoms/cm²以上離子注入剝離工藝、PI去除工藝中，可實(shí)現(xiàn)低顆粒工藝。

添加F系氣體工藝適合的腔體構(gòu)成，可對應(yīng)低顆粒需求。因此，從普通PR到離子注入剝離、有機(jī)膜剝離（PI，DFR等）、氧化膜刻蝕等

非常廣泛的工藝均可對應(yīng)。

采用簡單的設(shè)備構(gòu)成可同時(shí)實(shí)現(xiàn)“維修性·信賴性"。

有彈性的腔體構(gòu)成選擇（μ波、RIE、μ波＋RIE），可實(shí)現(xiàn)豐富的搬送路經(jīng)。

僅設(shè)定工藝菜單即可切換晶圓尺寸，晶圓尺寸容易實(shí)現(xiàn)。

道后端工藝的離子注入剝離工藝(1 x 10¹⁶atoms/cm²以上)的PI除去

添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)

芯片封裝的BUMP工藝

CCD顏色過濾膜的制造工藝

添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)

芯片封裝的BUMP工藝

CCD顏色過濾膜的制造工藝