等離子體蝕刻系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：SI 500 C 代表了專為低溫蝕刻而設(shè)計(jì)的電感耦合等離子體（ICP）處理的前沿。SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體（ICP）處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極、一個(gè)受控的真空系統(tǒng)和一個(gè)非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是

產(chǎn)品型號(hào)：SI 500 C
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-08-12
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主要功能與優(yōu)勢(shì)

低損傷等離子體蝕刻

由于離子能量低和離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH ICP蝕刻工具進(jìn)行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側(cè)壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻，應(yīng)用在流體學(xué)、傳感器、光電子學(xué)、光子學(xué)和量子技術(shù)中。

SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH 平面三重螺旋天線（PTSA）是一種 ICP 等離子體源。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器和量子點(diǎn)的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點(diǎn)火性能，適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

動(dòng)態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過(guò)程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動(dòng)態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。通常，低溫電極使用液氮冷卻，但是，低溫電極也可用于使用冷卻器進(jìn)行室溫處理。有一個(gè)選項(xiàng)可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動(dòng)切換。

SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體（ICP）處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極、一個(gè)受控的真空系統(tǒng)和一個(gè)非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子蝕刻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細(xì)結(jié)構(gòu)，包括但不限于Si、SiO2四3N4、砷化鎵和 InP。

靈活性和模塊化

從150 mm晶圓到直徑200 mm的各種襯底，以及載體上的襯底，都可以通過(guò)SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等離子蝕刻系統(tǒng)中內(nèi)置的靈活負(fù)載鎖來(lái)處理。單晶圓真空負(fù)載鎖定保證了穩(wěn)定的工藝條件，并允許直接切換工藝。

SENTECH提供不同級(jí)別的自動(dòng)化，從真空盒裝載到最多六端口集群配置的單工藝腔室，不同的蝕刻和沉積模塊提供高靈活性和高吞吐量。該系統(tǒng)還可以作為過(guò)程模塊集成到集群配置中。

SENTECH SI 500 C系統(tǒng)由先進(jìn)的硬件和SIA操作軟件控制，具有客戶端-服務(wù)器架構(gòu)。一個(gè)經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的可靠可編程邏輯控制器（PLC）用于所有組件的實(shí)時(shí)控制。

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