高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

簡要描述：產(chǎn)品概述：
高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。

設(shè)備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。

產(chǎn)品型號：JGP450
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-05
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1.產(chǎn)品概述：
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
2.設(shè)備用途：
用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。

3.真空室結(jié)構(gòu):

圓筒形上升蓋尺寸例如φ450×350mm，采用不銹鋼材料制造，可進行內(nèi)烘烤，接口處采用金屬墊圈或氟橡膠圈密封。

真空室尺寸:φ450×350mm

限真空度:≤6.0E-5Pa包括分子泵和機械泵，通過超高真空閘板閥主抽，并設(shè)有旁路抽氣

沉積源:永磁靶3套，φ2英寸

樣品尺寸，溫度:φ2英寸,6片; φ4英寸,1片; 高800℃

占地面積（長x寬x高）:約2米×1.5米×2米

電控描述:全自動

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%

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