1.產(chǎn)品概述：

系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進樣室）、樣品傳遞機構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計算機控制等各部分組成。

2.設備用途：

脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術，繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導薄膜之后，它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認識和重視。該項技術在生成復雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。與常規(guī)的沉積技術相比，脈沖激光沉積的過程被認為是“化學計量"的過程，因為它是將靶的成分轉(zhuǎn)換成沉積薄膜，非常適合于沉積氧化物之類的復雜結(jié)構(gòu)材料。當脈沖激光制備技術在難熔材料及多組分材料(如化合物半導體、電子陶瓷、超導材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應用景。

3.真空室：

真空室結(jié)構(gòu):球形開門雙室

真空室尺寸:鍍膜室尺寸：Ф450mm ；進樣室尺寸：Ф150x300mm

限真空度:鍍膜室≤6.0E-8Pa；進樣室：≤6.0E-5Pa

沉積源:φ2英寸靶材，4個；或φ1英寸靶材，6個

樣品尺寸，溫度:φ2英寸，1片，高800℃

占地面積（長x寬x高）:約2.8米x1.3米x1.9米

電控描述:部分電動控制

特色參數(shù) :配備高能電子衍射儀、氧等離子體發(fā)生器