高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統(tǒng)

簡要描述：產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。

設(shè)備用途：
團簇型等離子體化學氣相沉積設(shè)備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

產(chǎn)品型號：PECVD
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-08-13
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產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。

設(shè)備用途：
團簇型等離子體化學氣相沉積設(shè)備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制備非晶硅、微晶硅薄膜太陽能電池器件。

真空室結(jié)構(gòu):

1個中央傳輸室：蝶形結(jié)構(gòu)；3個沉積室：方形結(jié)構(gòu)； 1個進樣室：方形結(jié)構(gòu)

真空室尺寸:

中央傳輸室：Φ1000×280mm ；沉積室：260×260×280mm ；進樣室：300×300×300mm

極限真空度:

中央傳輸室：6.67E-4 Pa；沉積室：6.67E-6 Pa ；進樣室：6.67 Pa

沉積源:

樣品尺寸，溫度:

114X114X3mm，加熱溫度350度，機械手傳遞樣品

占地面積（長x寬x高）:

約13米x9米x2.3米（設(shè)計待定）

電控描述:

全自動

工藝:

在80X80mm范圍內(nèi)硅膜的厚度均勻性優(yōu)于±5%

特色參數(shù) :

共有8路工作氣體

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