當前位置:首頁 > 產品中心 > 半導體前道工藝設備 > 4 外延系統(tǒng) > MBE 412RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統(tǒng)
簡要描述:RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統(tǒng)正受到越來越多與工業(yè)合作伙伴合作開展應用項目的關鍵研究機構的關注。這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸(或 3 x 2 英寸)容量在這種類型的戰(zhàn)略合作伙伴關系中受到青睞,在這些合作伙伴關系中,成功的里程碑基于設備演示和合格的試生產運行。無論材料系統(tǒng)如何,412 都具有全自動樣品轉移、12 個源端口的靈活性和可重復的晶圓廠質量 ,專為實現這些目標而設計。
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Product Category詳細介紹
1 產品概述:
RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統(tǒng)是一款專為半導體制造領域設計的先進設備,旨在滿足中試生產階段對高質量、高精度晶體沉積的需求。該系統(tǒng)集成了高精度沉積技術、多源端口設計、先進的真空系統(tǒng)以及可定制化等特性,為半導體材料的生長和器件的制造提供了強有力的支持。
2 設備用途:
工藝驗證與優(yōu)化:該系統(tǒng)主要用于驗證和優(yōu)化在實驗室小試階段確定的工藝路線和技術參數。通過中試生產,可以進一步考察工藝的穩(wěn)定性、設備的可靠性以及產品的質量,為后續(xù)的大規(guī)模工業(yè)化生產提供數據支持和技術依據。
材料生長:RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統(tǒng)能夠在襯底上精確沉積各種材料,如GaAs、InP、GaN等,實現原子層級的控制,確保薄膜的高質量和均勻性。這些材料是制造微電子器件、光電器件等的關鍵材料。
復雜結構生長:該系統(tǒng)配備的多源端口設計使其能夠滿足不同材料的沉積需求,有助于生長復雜的半導體結構,如量子點、量子阱等,為新型半導體器件的研發(fā)提供可能。
3 設備特點
高精度沉積:RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統(tǒng)能夠實現原子層級的材料沉積控制,確保薄膜的高質量和均勻性。這種高精度沉積能力對于提高器件性能和可靠性至關重要。
多源端口設計:該系統(tǒng)可配備多個源端口,以滿足不同材料的沉積需求。這種設計靈活性使得系統(tǒng)能夠生長多種材料組合和復雜結構,為半導體器件的多樣化提供了可能。
先進的真空系統(tǒng):提供高真空環(huán)境,有效減少雜質和污染,保證晶體沉積的純度和質量。高真空環(huán)境是分子束外延技術實現高質量沉積的關鍵因素之一。
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