1.產(chǎn)品概述：

TFS 200 是一款適用于科學研究和企業(yè)研發(fā)的靈活的 ALD 平臺。 TFS 200 是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至低而特別設計的。

TFS 200 不僅可以在晶圓，平面物體上鍍膜，還適用于粉末，顆粒，多孔的基底材料，或是有高深徑比的3D物體內(nèi)沉積高保形薄膜。                      

直接和遠程等離子體沉積 (PEALD) 可作為 TFS 200 的標準選項。等離子體是電容性耦合(CCP)，這是當?shù)墓I(yè)標準。等離子體選件可為直徑200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和遠程等離子體增強沉積 (PEALD)

2.設備用途/原理：

設備用途

原子層沉積（ALD）設備主要用于半導體制造、光電子、納米技術(shù)和材料科學等領(lǐng)域。它廣泛應用于制造高性能電子器件、光電材料、薄膜電池、傳感器和催化劑等，能夠在復雜結(jié)構(gòu)上沉積均勻且高質(zhì)量的薄膜。

工作原理

ALD 設備通過交替引入兩種或多種氣相前驅(qū)體和反應氣體，以原子層的方式在基材表面沉積薄膜。每個前驅(qū)體分子在基材表面吸附并反應，形成一層薄膜，然后多余的前驅(qū)體和反應產(chǎn)物被清除，接著引入下一種氣體。這個過程持續(xù)進行，直到達到所需的薄膜厚度。由于每一層的沉積都受到嚴格控制，ALD 技術(shù)能實現(xiàn)極薄膜層的精確沉積，通常在納米級別，確保薄膜的均勻性和致密性。

3.主要技術(shù)指標：

循環(huán)周期小于2。在特定的條件下可以小于1。

高深徑比(HAR)選項適用于通孔和多孔的基底材料。

可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應腔。

安裝在真空反應腔的輔助接口可實現(xiàn)等離子體和在線診斷等。

加載鎖可用于快速更換基底材料并與其他設備集成。